| 650 nm GalnP／AIGalnP laser diodes with low threshold and compressively strained MQW active layer |
| XIA Wei[1,2] LI Shu-qiang[1,2] WANG Ling[1] MA De-ying[1] ZHANG Xin[2] WANG Fu-xun[1] JI Gang[1] LIU Ding-wen[2] REN Zhong-xiang[2] XU Xian-gang[1,2] MEI Liang-mo[1] |
| 关键词：GalnP/AIGalnP 激光二极管 功率输出 饱和电流 |
| 主要内容： |
| 《光电子快报：英文版》 2006,2(4).-263-265 |
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