| 0.8μm SOI CMOS抗辐射加固工艺辐射效应研究 |
| 马慧红;顾爱军; |
| 关键词：SOI;radiation-hard;ASIC;SIMOX |
| 主要内容：采用抗辐射0.8μm SOI CMOS加固技术,研制了抗辐射SOI CMOS器件和电路。利用Co60γ射线源对器件和电路的总剂量辐射效应进行了研究。对比抗辐射加固工艺前后器件的Id-Vg曲线以及前栅、背栅阈值随辐射总剂量的变化关系,得到1 |
| 《电子与封装》 2015,15(07):20-23 |
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