| 3D堆叠芯片硅通孔容错设计 |
| 张玲;王伟征;梅军进; |
| 关键词：3D堆叠芯片;硅通孔;容错技术 |
| 主要内容：3D堆叠芯片采用硅通孔(Through-Silicon Vias,TSVs)技术垂直连接多个裸晶(die),具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度 |
| 《计算机工程与应用》 2015,51(14):11-16 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号