| PEM_OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位 |
| 陈选龙;陈航;刘丽媛;蔡金宝; |
| 关键词：光致电阻变化;光发射显微镜;集成电路;失效分析;失效定位;漏电 |
| 主要内容：漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜(PEM)和光束感生电阻变化(OBIRCH)技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电 |
| 《失效分析与预防》 2015,10(06):365-368+392 |
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