| SiGe BiCMOS工艺集成技术研究 |
| 李红征; |
| 关键词：硅锗合金;BiCMOS工艺;异质结双极晶体管;BBGate工艺;BAGate工艺 |
| 主要内容：Si Ge(硅锗合金)Bi CMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金Bi CMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双 |
| 《电子与封装》 2015,15(12):34-37 |
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