| SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究 |
| 徐小波;王晓艳;李艳波;胡辉勇;葛建华; |
| 关键词：HBT;渡越时间;绝缘体上硅 |
| 主要内容：根据器件实际工作情况,找出SOI器件与传统器件的不同,建立并研究了SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型。结果表明,模型与集电区掺杂浓度、集电结偏置电压、传输电流有关,电流的增加恶化了渡越时间,进一步恶化了器件性能。所建模型与仿真结果一 |
| 《微电子学》 2015,45(05):681-684 |
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