| TaN薄膜电阻的功率加载特性研究 |
| 秦跃利;何文杰;石磊;谢飞; |
| 关键词:TaN;薄膜电阻;失效;功率加载;氧化;温度 |
| 主要内容:通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm, |
| 《电子元件与材料》 2015,34(03):1-3 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |