TSV立体集成用Cu_Sn键合工艺
 
张巍;单光宝;杜欣荣;

关键词:Cu/Sn体系;低温键合;等温凝固扩散;硅通孔(TSV);三维集成
 
主要内容:为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验。通过优化键合工
 
《微纳电子技术》  2015,52(04):266-270
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