| 氮化硼基电器用导电陶瓷的制备及性能研究 |
| 方振龙; |
| 关键词：微米h-BN;微米TiB2;晶界相;热压烧结;导电性能 |
| 主要内容：以微米h-BN和TiB2为主要原料,以微米Y2O3、AlN以及Si3N4为添加剂,采用热压烧结工艺制备了氮化硼基电器用导电陶瓷材料,并分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度以及导电性能。结果表明,当微米h-BN添加量为48wt%,TiB2 |
| 《热加工工艺》 2015,44(18):111-114 |
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