| 基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化 |
| 周欢欢;陈岚;尹明会;张卫华; |
| 关键词：电平转换器;核心电压;输入输出电压;40 nm;CMOS工艺 |
| 主要内容：电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工 |
| 《半导体技术》 2015,40(02):93-96+122 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号