| 基于90nm工艺节点的MOSFET版图失配研究 |
| 张雷鸣;刘博;张金灿; |
| 关键词：多指栅;电流舵;工艺波动;阈值电压;版图 |
| 主要内容：研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管 |
| 《半导体技术》 2015,40(07):499-506 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
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