| 基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究 |
| 余涛;吴婷;杨华;陈忠志;彭斌; |
| 关键词：NiFe;磁阻开关芯片;静态功耗 |
| 主要内容：利用磁控溅射设备在含有电路的6in.晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜,对薄膜进行磁场退火处理,然后对薄膜进行后续的加工和封装,成功制备出磁阻开关芯片,经过测试获得芯片的相关电磁参数,发现其开关性能优异,温度稳定性好,静态功耗低,已经达 |
| 《传感器世界》 2015,21(05):7-11 |
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