| 基于TCAD的45nm CMOS器件温度特性模拟 |
| 倪铭;余金山;马驰远; |
| 关键词：晶体管;特性曲线;温度范围 |
| 主要内容：基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线 |
| 《微电子学》 2015,45(01):119-124 |
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