| 金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应 |
| 于赫薇;尹彬锋;周柯;钱燕妮; |
| 关键词：金属电迁移;短路失效模式;析出效应;时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应;瞬时电 |
| 主要内容：金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应。目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少。研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始 |
| 《半导体技术》 2015,40(04):314-318 |
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