| 阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响 |
| 刘蓉容;池雅庆;何益百;窦强; |
| 关键词：阱接触面积;单粒子瞬态;PMOS;脉冲宽度 |
| 主要内容：使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入 |
| 《计算机工程与科学》 2015,37(06):1053-1057 |
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