| 考虑工艺偏差的容软错误锁存器设计 |
| 黄正峰;申思远;王志; |
| 关键词：锁存器;软错误;单粒子效应;工艺偏差 |
| 主要内容：随着集成电路工艺尺寸的不断降低,CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误.为了降低电路软错误率,提出一种高可靠的容软错误锁存器.该锁存器采用分离反相器P、N管栅极的方法构建内部冗余存储节点使其对SEU完全免疫,并且进行了滤波设 |
| 《微电子学与计算机》 2015,32(06):15-21 |
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