| 利用片上超材料构建单芯片太赫兹双频吸波器 |
| 杨曙辉;康劲;陈迎潮; |
| 关键词：超材料;开口谐振环;太赫兹吸波器;等效电路;吸收率 |
| 主要内容：利用65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种新的单芯片超材料结构太赫兹吸波器,面积约为0.60 mm×0.65 mm,包含75个吸波单元.吸波单元图案采用CMOS工艺中顶层铜金属,厚度为3.2μm,设计为正八边形和正方形开 |
| 《北京邮电大学学报》 2015,38(03):126-129 |
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