| 面向纳米电路的改进型卷积核可制造性模型建模研究 |
| 杨祎巍;张宏博;李斌; |
| 关键词：可制造性模型;卷积核;全流程 |
| 主要内容：囿于材料和工艺稳定性等原因,纳米级集成电路制造依然基于193 nm激发光的工艺,光刻波长远大于版图尺寸,使得制造中光的干涉和衍射现象极大降低了分辨率,影响了芯片质量,因此版图在制造前需要使用可制造性模型进行查错.传统模型对制造过程进行物理建 |
| 《物理学报》 2015,64(05):376-381 |
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