| 磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响 |
| 武鹏;周建伟;何彦刚;刘玉岭;秦然;张燕; |
| 关键词：粒径;多层Cu布线;化学机械抛光(CMP);抛光速率;表面状态 |
| 主要内容：阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实验结果,分析了不同磨料粒径抛光液的抛光速率以及抛光 |
| 《微纳电子技术》 2015,52(11):733-736 |
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