| 砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制 |
| 赵子润;陈凤霞; |
| 关键词：砷化镓;赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT);开关驱动器;微波单片集成电路;增强 |
| 主要内容：基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成。 |
| 《半导体技术》 2015,40(12):894-898 |
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