| 深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响 |
| 杜林;蒲石;史永贵;张进城;郝跃; |
| 关键词：基片集成波导滤波器;通孔;深刻蚀;显微结构 |
| 主要内容：硅基集成波导滤波器通孔的显微结构和阵列精度对硅基集成波导滤波器的电磁性能和可靠性至关重要.采用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀以及感应耦合等离子体刻蚀3种方法在晶向为[100]的高阻硅单晶衬底上加工了通孔阵列,并采用线宽测量仪和扫描电镜对通 |
| 《西安电子科技大学学报》 2015,42(04):41-46 |
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