新型同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔
 
王兴君;史凌峰;

关键词:碳纳米管(CNT);硅通孔(TSV);可变参数电路模型;信号传输性能;信号完整性
 
主要内容:针对碳纳米管填充的硅通孔(TSV)的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构。在内外层管束交界处的耦合电容的基础上,提出新型TSV结构的可变参数等效电路模型,并基于TSV在三种不同应用层次上的尺寸参数,通过
 
《半导体技术》  2015,40(04):294-301
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