| 氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理 |
| 张燕;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇;邓海文; |
| 关键词：去除速率;硅通孔化学机械抛光(TSV CMP);开路电位;静态腐蚀电位;钝化作用 |
| 主要内容：为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐 |
| 《微纳电子技术》 2015,52(11):737-740 |
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