| 一种CMOS新型ESD保护电路设计 |
| 沈放;陈巍;黄灿英;陈艳; |
| 关键词：静电放电(ESD)保护;栅极接地NMOS;抗静电;电流集边效应;低成本 |
| 主要内容：金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μ |
| 《现代电子技术》 2015,38(24):128-131 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号