| 一种电迁移测试失效时间判定方法 |
| 钱燕妮;尹彬锋;周柯;于赫薇; |
| 关键词：超大规模集成电路(VLSI);电迁移;失效判定标准;固定电阻变化率;阻值第一次跳 |
| 主要内容：采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究。研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反映样品的实际寿命,而采用第一次阻值跳变点对应的时间 |
| 《半导体技术》 2015,40(10):793-797 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号