| 一种高电源抑制比的全MOS电压基准源设计 |
| 唐俊龙;肖正;周斌腾;谢海情; |
| 关键词：电源电压抑制比;预抑制;基准源 |
| 主要内容：基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源。为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了高电源电压抑制比的输出电压。对电路进行仿真,当电 |
| 《微电子学》 2015,45(04):425-428 |
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