| 一种高性能带隙基准电压源设计 |
| 杨霄垒;张沁枫;蒋颖丹; |
| 关键词：带隙基准;CMOS;温度系数;电源抑制比 |
| 主要内容：对比分析传统的CMOS带隙基准电压源电路结构,基于一阶温度补偿设计一种高性能带隙基准电压源。电路采用基本差分放大器作为电路负反馈运放,运放输出用作PMOS电流源偏置,提高共模抑制比。Spectre仿真结果显示在-55~125℃温度范围内温度 |
| 《电子与封装》 2015,15(11):26-29 |
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