| 一种有效去除CMP后铜表面CuO颗粒的清洗剂 |
| 杨志欣;高宝红;王辰伟;孙鸣;孙铭斌;张男男;程川;檀柏梅; |
| 关键词：CuO颗粒;清洗剂;化学机械抛光(CMP);颗粒去除;表面活性剂 |
| 主要内容：在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所 |
| 《微纳电子技术》 2015,52(01):64-68 |
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