| 应用于3D集成的高密度Cu_Sn微凸点键合技术 |
| 独莉;宿磊;陈鹏飞;张昆;廖广兰;史铁林; |
| 关键词：3D集成;Cu/Sn微凸点;电镀;键合;金属间化合物 |
| 主要内容：3D-IC技术被看作是应对未来半导体产业不断增长的晶体管密度最有希望的解决方案,而微凸点键合技术是实现3D集成的关键技术之一。采用电镀工艺制作了直径为50μm、间距为130μm的高密度Cu/Sn微凸点,分析了不同预镀时间及电流密度对Cu微凸 |
| 《半导体光电》 2015,36(03):403-407 |
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