| 由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析 |
| 刘楠;刘大鹏;张辉;祝伟明; |
| 关键词：栅氧损伤;闩锁效应;可控硅(SCR);微光显微镜(EMMI)技术;激光诱导阻值变 |
| 主要内容：随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对 |
| 《半导体技术》 2015,40(06):468-472 |
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