| 贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究 |
| 李坤兰;王首臻;杨少华; |
| 关键词：霍尔集成电路;贮存试验;性能参数;T-检验 |
| 主要内容：在A(寒温)、B(亚湿热)、C(亚湿热)、D(热带海洋)4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验,跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平-低电平磁感应强度(工作点)BH-L、低电平-高电平磁感应强度(释放点)BL-H和回差B |
| 《电子产品可靠性与环境试验》 2015,33(03):31-35 |
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