| 0.35μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究 |
| 徐婉静;朱坤峰;杨永晖;任芳;黄东;梁柳红;张霞;汪璐;崔伟;谭开洲;钱呈; |
| 关键词：深槽隔离;表面形貌;0.35μm SiGe BiCMOS;SiGe HBT |
| 主要内容：针对0.35μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_(tp)以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h_3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h_2=220nm,W_( |
| 《微电子学》 2016,46(03):407-411 |
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