| 1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术 |
| 熊丝纬;孙清清; |
| 关键词：二元过渡金属硫族化合物(TMD);1T’-碲化钼(1T’-Mo Te2);原位生 |
| 主要内容：二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-Mo |
| 《半导体技术》 2016,41(08):625-630 |
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