| 28nm集成电路铜互连弱碱性阻挡层抛光液性能 |
| 李彦磊;刘玉岭;王辰伟;李祥州;岳昕; |
| 关键词：集成电路(IC);阻挡层;化学机械平坦化(CMP);弱碱性抛光液;铜互连 |
| 主要内容：报道了一种用于技术节点为28 nm的集成电路多层铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)的弱碱性抛光液(pH值为8.5),仅由平均粒径为20 nm的硅溶胶、FA/O多羟多胺螯合剂及非离子表面活性剂组成。实验结果表明,研发的弱碱性阻挡层抛光液对牺 |
| 《微纳电子技术》 2016,53(07):478-482 |
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