| 65nm工艺下单粒子加固锁存器设计 |
| 黄正峰;钱栋良;梁华国;易茂祥;欧阳一鸣;闫爱斌; |
| 关键词：软错误;单粒子翻转;单粒子瞬态;加固锁存器;时间冗余 |
| 主要内容：随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.首先针对单粒子翻转,使用具有状态保持功能的C单元,并且级联成两级;然后针对单粒子瞬态,将延迟单元嵌入在 |
| 《计算机辅助设计与图形学学报》 2016,28(08):1393-1400 |
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