| BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用 |
| 王宇奇;何进;张贵博;童志强;王豪;常胜;黄启俊; |
| 关键词：Bi CMOS;带隙基准电压源;偏置电路;带宽调节 |
| 主要内容：基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V~3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃ |
| 《电子技术应用》 2016,42(11):33-36 |
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