| CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计 |
| 刘超;李强;熊永忠; |
| 关键词：Ka波段;单刀双掷开关;高隔离度;CMOS;T/R开关 |
| 主要内容：提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷(Single Pole Double Throw,SPDT)开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩 |
| 《电子技术应用》 2016,42(04):43-45+52 |
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