| CMOS集成电路ESD保护技术研究 |
| 董培培;张海涛; |
| 关键词：ESD保护;GGMOS器件;电路设计;版图设计;通用原则;工作可靠性 |
| 主要内容：介绍了ESD保护原理、测试方法及典型的ESD保护电路,针对2000V的HBM模型ESD保护指标要求,采用CSMC 0.5μm 25V(VGS)/25V(VDS)DPTM工艺模型和GGMOS器件进行了全芯片的ESD保护电路设计,并对ESD保护 |
| 《微处理机》 2016,37(05):9-12 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号