| Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制 |
| 杨俊;刘洪涛;谷勋; |
| 关键词：Cu CMP;超低介电常数(ULK);介电常数k;退火 |
| 主要内容：研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响。实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加。XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要 |
| 《半导体技术》 2016,41(12):929-932 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号