| IC+MOS组合电路封装漏电机理探讨 |
| 牛社强;胡燕燕;何文海; |
| 关键词：IC+MOSFET组合封装;漏电;芯片缺陷;封装过程;外力损伤 |
| 主要内容：通过对IC+MOS电路组合特点的讨论,重点对MOSFET晶圆前制程中的缺陷、封装过程的外力损伤缺陷等对封装后产品漏电现象的影响进行了探讨,以期通过制程控制和过程缺陷分析,为MOSFET封装在品质保证上提供保证。 |
| 《电子工业专用设备》 2016,45(06):16-19+63 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
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