| SiO_2膜背封片边缘剥离工艺进展 |
| 高丹;佟丽英; |
| 关键词：背封;酸腐蚀;边缘剥离元 |
| 主要内容：背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的特点进行了 |
| 《电子工艺技术》 2016,37(04):228-230 |
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