| 板级DDR3的EMI抑制 |
| 陈德恒;吴均; |
| 关键词：印制电路板;电磁干扰;DDR3;芯片内端接;串联电阻 |
| 主要内容：某DDR3辐射超标,通过串联电阻、ODT技术等方式改善信号反射从而抑制其EMI。最终的仿真结果表明,在DDR3系统中,串联电阻减小了7%的远场能量,25%的近场能量;ODT技术减小了5%的远场能量,40%的近场能量。 |
| 《安全与电磁兼容》 2016,(05):62-64+70 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号