| 薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系 |
| 韩兆芳;谢达;乔艳敏; |
| 关键词：CMOS集成电路;闩锁效应;外延片;穿通击穿 |
| 主要内容：CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。 |
| 《电子与封装》 2016,16(08):37-40 |
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