| 背照式EMCCD背端处理技术研究 |
| 周福虎;丁继洪;朱小燕; |
| 关键词：激光退火;自建电场;结深;金属引线完整性;参考芯片 |
| 主要内容：为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率。采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P+的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于0.1μm |
| 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2016,15(05):15-17 |
| 全文下载请进入http://hightech.stlib.cn/tpi_1/sysasp/include/index.asp |
微信公众号