| 层间介质(ILD)CMP工艺分析 |
| 詹阳;周国安;王东辉;杨元元;胡兴臣; |
| 关键词：层间介质;平整度;抛光垫;修整器 |
| 主要内容：论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP |
| 《电子工业专用设备》 2016,45(06):40-44 |
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