| 二阶曲率补偿带隙基准的设计 |
| 李燕楠;廖杰; |
| 关键词：带隙基准;曲率补偿;亚阈值区;电源抑制比 |
| 主要内容：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示,在1.5 V电源电压下,带隙基准输出电压在-25℃~125℃温度范围内获得了3.18 ppm/℃的温度 |
| 《数字技术与应用》 2016,(10):184 |
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