| 高深宽比的TSV制作与填充技术 |
| 余成昇;许高斌;陈兴;马渊明;展明浩; |
| 关键词：硅通孔;ICP刻蚀;LPCVD;重掺杂多晶硅;高深宽比 |
| 主要内容：硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用 |
| 《真空科学与技术学报》 2016,36(01):93-97 |
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