| 硅基片上射频集成无源器件的去嵌入表征方法研究 |
| 陈文彬;贠明辉;蔡苗;杨道国;王晓磊; |
| 关键词：无源器件;共面波导;S参数;测试;去嵌入;分布参数 |
| 主要内容：硅基片上射频集成无源器件进行S参数测试时不可避免受到焊盘寄生效应的影响。针对这一问题,提取了三组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于级联理论的三种去嵌入方法被用于传输线模型分布参数的精确表征,并结合电磁仿真综合对比。结果表明:相对于其 |
| 《电子元件与材料》 2016,35(03):71-75+80 |
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