| 缓解电路NBTI效应的改进门替换技术 |
| 朱炯;易茂祥;张姚;胡林聪;刘小红;程龙;黄正峰; |
| 关键词：负偏置温度不稳定性;时序违规;时延关键性;关键门;门替换 |
| 主要内容：纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应会导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终导致电路时序违规。为了缓解电路 |
| 《电子测量与仪器学报》 2016,30(07):1029-1036 |
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