| 基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态加固技术研究 |
| 巨艇;王轩;张健;赖晓玲;周国昌; |
| 关键词：触发器;单粒子翻转;单粒子瞬态;抗辐射加固 |
| 主要内容：在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一种基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器单元加 |
| 《空间电子技术》 2016,13(03):63-67 |
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